Investigadores españoles revolucionan las tecnologías de almacenamiento

Investigadores españoles del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC) han desarrollado en colaboración con científicos franceses una nueva generación de materiales denominados biferroicos, ya que poseen características magnéticas y eléctricas, capaz de almacenar una mayor cantidad de información en menos espacio que los actuales dispositivos de memoria existentes en el mercado. El estudio, que se publica en la edición digital de la revista “Nature Materials”, abre nuevas vías en el control y gestión de memorias y computación.

Los científicos investigaron un dispositivo donde los electrones viajan a través de una capa biferroica muy fina. Dependiendo de los campos eléctricos y magnéticos en esta capa, la resistencia eléctrica a través de ella cambia, lo que puede utilizarse como un elemento fundamental de un dispositivo de memoria.

El emparejamiento de campos eléctricos y magnéticos en la capa biferroica supone que se podría escribir eléctrica o magnéticamente sobre el dispositivo y realizar su lectura eléctricamente. El método representa un progreso tecnológico significativo comparado con las memorias magnéticas y ferroeléctricas comerciales, ya que combina las ventajas de ambas tecnologías y evita sus desventajas.

Según explica Josep Fontcuberta, uno de los españoles que ha dirigido el trabajo, es la primera aplicación funcional de un material biferroico. El estudio demuestra que dichos materiales pueden ser útiles en distintos campos de la tecnología y en concreto en lo que se refiere a la magnetoelectrónica.

“La magnetoelectrónica está llamada a sustituir la electrónica convencional. Nuestros materiales y el dispositivo que hemos fabricado con ellos, abren nuevas vías de control y gestión de memorias y computación. Esperamos que dé un nuevo impulso a la magnetoelectrónica y que permita que se desarrolle más allá de los actuales cabezales GMR de los lectores de discos duros o de la memorias MRAM o FeRAM actuales”, explica Fontcuberta que, junto a Albert Fert del CNRS/Thales en Palaiseau (Francia) ha codirigido la tesis doctoral de Martin Gajek, de la que forma parte este trabajo.

Los españoles, que junto a los franceses han diseñado el dispositivo, han contribuido con aportaciones fundamentales como la identificación de los materiales necesarios, su selección, su crecimiento y su caracterización. Además, parte de los materiales usados fueron elaborados en el Departamento de Física Aplicada y Óptica de la Universidad de Barcelona y caracterizados exhaustivamente en el ICMAB.

Un artículo de James Scott, de la Universidad de Cambridge (Reino Unido), que acompaña el estudio sugiere que este avance tiene el potencial de ser una tecnología capaz de desbancar los conceptos existentes sobre dispositivos de memoria y que podría conducir a una comercialización amplia de los dispositivos biferroicos.