La memoria FeTRAM ha sido desarrollada por científicos de la Universidad Purdue y su nombre viene de la utilización de material ferroeléctrico y creen que gracias a sus numerosas propiedades podrían reemplazar la memoria convencional.
Con cierta similitud con la memoria FeRAM en el uso de material ferroeléctrico, la FeTRAM almacena la información leyendo la polaridad cambiante de los transistores ferroeléctricos creados combinando nanocables de silicio con un polímero ferroeléctrico.
Además son compatibles con los métodos de fabricación de CMOS. Pero lo importante es que mantienen la información durante años, permiten innumerables ciclos de lectura y escritura y además de su mayor rapidez tiene el potencial de usar un 99% menos de energía que la memoria flash.
Ya veremos si al final esta tecnología llega a buen puerto y tenemos dispositivos con menos consumo y que no generen tanto calor. [Nano Letters]
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