Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que los trabajos de investigación de la empresa han sido aceptados para su presentación en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024, una prestigiosa conferencia internacional que se celebrará en San Francisco, EE. UU., del 7al 11de diciembre.
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Memory Hierarchy (Graphic: Business Wire)
Kioxia se ha comprometido a investigar y desarrollar memorias semiconductoras, indispensables para el avance de la IA y la transformación digital de la sociedad. Más allá de su tecnología punta de memoria flash tridimensional (3D) BiCS FLASH™, Kioxia destaca en la investigación de soluciones de memoria emergentes. La empresa se esfuerza constantemente por satisfacer las necesidades de los futuros sistemas informáticos y de almacenamiento con productos de memoria innovadores.
Los sistemas informáticos actuales utilizan DRAM, un dispositivo de memoria primaria que permite a la CPU procesar datos con rapidez, y memoria flash para almacenar grandes volúmenes de datos. Kioxia lidera la investigación y el desarrollo de la Storage Class Memory (SCM), una solución de memoria situada entre la DRAM y la memoria flash en la jerarquía de memorias de semiconductores, diseñada para manejar mayores volúmenes de datos que la DRAM y a mayor velocidad que la memoria flash.
En la Conferencia IEDM, Kioxia presentará tecnologías de vanguardia adaptadas a cada una de estas tres capas de memoria semiconductora: (1) un nuevo tipo de DRAM que utiliza semiconductores de óxido con el objetivo de reducir el consumo de energía, (2) MRAM adecuada para mayores capacidades para aplicaciones de SCM, y (3) una novedosa estructura de memoria flash 3D con una densidad de bits y un rendimiento superiores.
Tecnologías de memoria emergentes:
1. Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM): Esta tecnología es fruto de la colaboración entre Nanya Technology y Kioxia Corporation, que desarrollaron un transistor vertical que potencia la integración de circuitos mejorando el proceso de fabricación. Las empresas consiguieron una fuga de corriente extremadamente baja al sacar a la luz las propiedades del transistor utilizando un semiconductor de óxido. De esta manera, se puede reducir potencialmente el consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos los sistemas de comunicación de IA y post-5G, y los productos de IoT.
Título del artículo: Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) with 4F2 Architecture (DRAM con transistor de canal semiconductor de óxido (OCTRAM) con arquitectura 4F2) (Número de artículo: 6-1)
2. Tecnología Crosspoint MRAM de alta capacidad: Esta tecnología fue desarrollada conjuntamente por SK hynix Inc. y Kioxia Corporation. Con ella, las empresas consiguieron un funcionamiento de lectura/escritura de celdas a la escala más pequeña jamás alcanzada de semipaso de celda de 20,5 nanómetros para MRAM combinando una tecnología de celdas que empareja selectores adecuados para grandes capacidades con uniones de túnel magnético, y aplicaron una tecnología de procesamiento fino para matrices de tipo punto de cruce (o “crosspoint”). La confiabilidad de la memoria tiende a degradarse a medida que se miniaturizan las celdas. Las empresas desarrollaron una posible solución mediante un nuevo método de lectura que aprovecha la respuesta transitoria de los selectores y reduciendo la capacitancia parásita de los circuitos de lectura. Esta tecnología tiene aplicaciones prácticas para la IA y el procesamiento de macrodatos.
Título del artículo: Reliable memory operation with low read disturb rate in the world smallest 1Selector-1MTJ cell for 64 Gb cross-point MRAM (Funcionamiento confiable de la memoria con baja tasa de perturbaciones de lectura en la celda 1Selector-1MTJ más pequeña del mundo para MRAM de punto de cruce de 64 Gb) (Número de artículo: 20-1)
3. Tecnología de memoria 3D de nueva generación con estructura de apilamiento horizontal de celdas: Kioxia ha desarrollado una nueva estructura 3D para mejorar la confiabilidad y evitar la degradación del rendimiento de las celdas de tipo NAND. La degradación del rendimiento se produce cuando aumenta el número de capas apiladas en las estructuras convencionales. La nueva estructura dispone las celdas de tipo NAND horizontalmente apilándolas en comparación con la estructura convencional de disposición vertical de las celdas de tipo NAND. Esta estructura permite realizar memorias flash 3D con alta densidad de bits y gran confiabilidad a bajo costo.
Título del artículo: Superior Scalability of Advanced Horizontal Channel Flash For Future Generations of 3D Flash Memory (Escalabilidad superior de una flash avanzada con canal horizontal para futuras generaciones de memoria flash 3D) (Número de documento: 30-1)
Para ampliar la información sobre la Conferencia IEDM, visite: https://www.ieee-iedm.org/
Con su misión de “elevar el mundo con ‘memoria’”, Kioxia aspira a ser pionera en una nueva era con tecnología de memoria y seguirá promoviendo la investigación y el desarrollo tecnológico para apoyar el futuro de la sociedad digital.
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Acerca de Kioxia
Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.
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