Toshiba Memory Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy XFMEXPRESS™, una nueva tecnología para dispositivos de memoria extraíbles NVMe™, conectados a PCIe®. Con un nuevo factor de forma y con un conector innovador, la tecnología XFMEXPRESS ofrece una combinación incomparable de características diseñadas para revolucionar PC ultramóviles, dispositivos IoT y varias aplicaciones integradas. Al reconocer la necesidad de una nueva clase de almacenamiento extraíble, Toshiba Memory aprovechó su amplia experiencia en diseños de memoria de paquete único para desarrollar la tecnología XFMEXPRESS y para ofrecer estas características clave:
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XFMEXPRESS (TM) (Photo: Business Wire)
Funcionalidad de cambio de juego
Al priorizar la funcionalidad, la tecnología XFMEXPRESS permite una nueva categoría de pequeños dispositivos de memoria y SSD que son fáciles de mantener o de actualizar. Al combinar un paquete robusto y compacto con funcionalidad y flexibilidad de memoria extraíble, la tecnología XFMEXPRESS ayudará a disminuir las barreras técnicas y las restricciones de diseño.
Superficie de memoria para móviles
El tamaño sin compromiso y el bajo perfil del factor de forma de XFMEXPRESS (14 mm x 18 mm x 1,4 mm) ofrece una superficie de memoria[1] de 252mm², que optimiza el espacio de montaje para dispositivos anfitriones ultracompactos sin sacrificar el rendimiento o la funcionalidad. Con esta altura z minimizada, el factor de forma XFMEXPRESS es excelente para computadoras portátiles delgadas y livianas, y crea nuevas posibilidades de diseño para aplicaciones y sistemas de próxima generación.
Rendimiento de vanguardia
Diseñada para la velocidad, la tecnología XFMEXPRESS implementa una interfaz PCIe 3.0, NVMe 1.3 con 4 carriles (4L), que admite un ancho de banda teórico de hasta 4 GB/s en cada dirección y de hasta 8 GB/s en cada dirección para los casos de uso de la próxima generación[2]. Las capacidades de rendimiento líderes en la industria de la tecnología XFMEXPRESS y su factor de forma duradero proporcionan una alternativa convincente al status quo, que permite experiencias informáticas y de entretenimiento superiores.
Diseño flexible y a prueba de futuro
La tecnología XFMEXPRESS ofrece la flexibilidad y escalabilidad necesarias para resistir el paso del tiempo. Es compatible con PCIe 3.0 y 4.0, se puede configurar con 2L a 4L y está diseñado para implementar tamaños de memoria flash 3D actuales y futuros al asegurar que los productos que usan el factor de forma XFMEXPRESS puedan escalar con el mercado.
Conector innovador
El diseño único de la tecnología XFMEXPRESS ofrece una funcionalidad y robustez optimizadas, así como un conector especialmente diseñado que mejora la facilidad de uso y la eficacia térmica.
Toshiba Memory muestra una solución XFMEXPRESS en vivo en la Flash Memory Summit en Santa Clara, CA, del 6 al 8 de agosto en el estand N.º 307. Para obtener más información, visite https://business.toshiba-memory.com/en-jp/product/memory/xfmexpress/.
(1) Unidad de 22,2 mm x 17,75 mm x 2,2 mm + conector
(2) Velocidades teóricas basadas en la especificación PCIe de 8 GT/s por carril en PCIe 3.0 y 16 GT/s por carril en PCIe 4.0. Toshiba Memory Corporation define un gigabyte (GB) como 1 000 000 000 de bytes.
- PCIe es una marca comercial registrada de PCI-SIG.
- NVMe es una marca comercial de NVM Express, Inc.
- Todos los demás nombres de las compañías, nombres de productos y servicios mencionados pueden ser marcas comerciales registradas de sus respectivas compañías.
Acerca de Toshiba Memory
Toshiba Memory Group, líder mundial en soluciones de memoria, se dedica al desarrollo, la producción y la venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (solid state drives, SSD). En abril de 2017, Toshiba Memory se escindió de Toshiba Corporation, la compañía que inventó la memoria flash NAND en 1987. Toshiba Memory es pionera en soluciones y los servicios vanguardistas y pioneros de memoria que enriquecen la vida de las personas y expanden los horizontes de la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de la compañía, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los smartphones de avanzada, las PC, las unidades SSD, la industria automotriz y los centros de datos. Toshiba Memory cambiará oficialmente su nombre a Kioxia el 1 de octubre de 2019. Para obtener más información sobre Toshiba Memory, ingrese a https://business.toshiba-memory.com/en-jp/.
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